セミコン・ジャパン2006に出展

2006年12月6日(水)~8日(金)に幕張メッセにて開催されますセミコン・ジャパン2006に出展いたします。 出展ブース:7D-1105 出展製品:ウェーハ表面検査装置Candela CS、薄膜応力測定装置FLX-2320-S 他 TOP > 半導体・液晶製造検査 > 半導体・フラットパネル用検査装置 > ウェーハ表面検査装置 Candela CS   ウェーハ表面検査装置 Candela CSシリーズは、半導体レーザーにより非破壊でウェーハ表面の様々な欠陥を解析する装置です。その用途は広く、Si、GaAs等のウェーハのコンタミ、傷、凹凸の解析から、SiC、GaNなど最近注目されている材料の結晶欠陥の解析までカバーします。 ウェーハ表面検査装置 Candela CSシリーズは、レーザー波長の違いと、搬送ロボットの有無で4タイプに分かれます。 CS10R 635nm半導体レーザー搭載、搬送ロボットなし CS20R 635nm半導体レーザー搭載、搬送ロボットあり CS10 405nm半導体レーザー搭載、搬送ロボットなし CS20 405nm半導体レーザー搭載、搬送ロボットあり 運用(R&D用途、インライン検査用途等)と、測定対象の材料により4機種より選択いただけます。   CS10R CS20R CS10 CS20 基盤サイズ 2-12インチ 2-8インチ 2-12インチ 2-8インチ レーザー 635nm < – 405nm < – 検出チャネル 正反射、位相シフト、散乱、光学プロファイラ ロボット なし あり なし あり パーティクル検出感度 0.3μm < – 0.08μm < – 垂直方向分解能 1A < – < – < – 欠陥解析機能     パーティクル、スクラッチ、ピット、バンプ、ステインの検出と分類     SiCウェーハのマイクロパイプ検出     GaNエピウェーハのパーティクル、エピ欠陥他の検出と分類     薄膜均一性の解析     表面うねり、粗さの解析 ■欠陥イメージの表示例(GaNエピのピット)   ■欠陥イメージの表示例(SiCのマイクロパイプ)   ■欠陥解析マップの表示例(SiCのマイクロパイプ) 今後も開発される様々な材料に対応するため、ウェーハ表面検査装置 Candela CSシリーズは、ユーザーが欠陥を自由に定義できる機能を搭載しています。4種類の異なる検出チャネルのデータを比較・解析することで、材料固有の新たな欠陥の解析と分類に対応します。 シリコンウェーハなどの基板上に膜付けをすると、基板と薄膜との物理定数が異なるために、ストレスが生じ基板が変形します。均一に膜付けされた薄膜による変形は、基板の反りとして現れるため、薄膜応力測定装置 FLX-2320-Sはこの反り(曲率半径)の変化量によりストレスを測定することができます。 様々な基板、膜種に対応 波長の違う2種類のレーザーを自動選択 プロセス環境下でのデータ 昇温・降温機能により-65℃から500℃までの測定環境 シンプルで高機能 WINDOWS-OSを使用、オリジナルソフトウェアで簡単測定 大学などでも研究用として 低コスト、省スペース 測定範囲 1~4,000Mpa  (725μmウェーハの10,000Å膜測定時) 温度範囲 室温~500℃ (オプション:-65℃~500℃ 昇温速度 最大毎分25度 サンプル 75mm~200mm  再 現 性 1.3Mpa スキャンポイント 低反射アラーム 弾性係数 基板厚 基板サイズ 応力単位 基板タイプ レーザー選択 豊富なデータベースで測定条件設定 グラフィカルな薄膜ストレスマップ図